三星公布內(nèi)存路線圖：2027年DDR6內(nèi)存將突破10Gbps

2022-10-09 09:08:31   評(píng)論：0   [收藏]   [評(píng)論]
導(dǎo)讀：　　IT之家10月8日消息，據(jù)德媒computerbase消息，三星在SamsungFoundryForum2022活動(dòng)中介紹了其內(nèi)存路線圖。　　如上圖所示，在即將到來的2023年，三星將進(jìn)入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到24Gb(3GB)- 32Gb
　　IT之家10月8日消息，據(jù)德媒computerbase消息，三星在SamsungFoundryForum2022活動(dòng)中介紹了其內(nèi)存路線圖。

　　如上圖所示，在即將到來的2023年，三星將進(jìn)入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到24Gb(3GB)- 32Gb(4GB)，原生速度將在6.4-7.2Gbps。顯存方面，新一代 GDDR7顯存將在明年問世，因此AMD和英偉達(dá)顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會(huì)用上GDDR7顯存。

　　此外，三星還進(jìn)行了一些長遠(yuǎn)的設(shè)想，如2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年即實(shí)現(xiàn)原生10Gbps的速度。

　　三星也公布了其閃存的路線圖，預(yù)計(jì)將在2024年推出V9NAND芯片。

　　IT之家曾報(bào)道，三星在此前的 TechDay2022活動(dòng)中指出，其第九代V-NAND正在開發(fā)中，計(jì)劃于2024年量產(chǎn)。到2030年，三星設(shè)想NAND堆疊超過1，000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。三星還宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND將于今年年底向客戶提供。

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