三星電子計劃明年擴大晶圓代工與DRAM產(chǎn)能
導(dǎo)讀: 盡管明年全球經(jīng)濟將放緩,三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。 據(jù)韓國媒體報道,三星電子位于韓國平澤的P3晶圓廠將擴增DRAM設(shè)備,每月可生產(chǎn)7萬片的12寸晶圓,高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月
盡管明年全球經(jīng)濟將放緩,三星電子仍計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。
據(jù)韓國媒體報道,三星電子位于韓國平澤的P3晶圓廠將擴增DRAM設(shè)備,每月可生產(chǎn)7萬片的12寸晶圓,高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬片產(chǎn)能。三星電子計劃利用新的設(shè)備生產(chǎn)12納米級DRAM。截至今年第三季度,三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬片。
此外,三星電子計劃將P3廠的每月晶圓產(chǎn)量提高3萬片。三星電子還決定明年將新設(shè)至少10臺極紫外光刻設(shè)備(EUV),目前數(shù)量為40臺。
責(zé)任編輯:zsz
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