3nm來臨!臺積電良率可達80%!三星渣得沒法看
導(dǎo)讀: 三星、臺積電已經(jīng)先后宣布量產(chǎn)3nm工藝,臺積電還特意舉辦了盛大的典禮! ∨_積電的命名為N3,號稱5nm之后的一個全新工藝節(jié)點,可將密度增加70%,同等功耗下性能提升10-15%,同等性能下功耗降低25-30%。
三星、臺積電已經(jīng)先后宣布量產(chǎn)3nm工藝,臺積電還特意舉辦了盛大的典禮。
臺積電的命名為N3,號稱5nm之后的一個全新工藝節(jié)點,可將密度增加70%,同等功耗下性能提升10-15%,同等性能下功耗降低25-30%。
三星的命名為3GAE,首次引入GAA全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(初期版本)。
據(jù)半導(dǎo)體專業(yè)人士分析,臺積電N3工藝目前的良品率低則60-70%,高則70-80%,與5nm工藝初期的水平類似。
對于剛投入量產(chǎn)的先進工藝來說,這已經(jīng)是非常不錯的良率水平,具備了大規(guī)模量產(chǎn)、供貨的條件。
臺積電還在開發(fā)N3E、N3P、N3S、N3X等不同版本,這也奠定了很好的基礎(chǔ)。
相比之下,三星3GAE的初期良率要低得多,估計在10-20%左右,而且一直沒有明顯改善,芯片質(zhì)量也參差不齊。
當(dāng)然,以上數(shù)字都是業(yè)界估測,臺積電、三星都不可能公布具體數(shù)字,只能走著瞧了。
不過,三星工藝拉胯也不是一次兩次了。
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